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海外製品調達ユニポス

2020.03.26

シリコンドリフト検出器(SDD)や電荷結合素子(pnCDD)等「PNDetector 社製品」のページを追加しました

ユニポスWEBサイトに、シリコンドリフト検出器(SDD)や電荷結合素子(pnCDD)等
PNDetector 社製品 のページを追加しました。


pndetectpr_img.jpg

PNDetector社(ドイツ)は、微量分析、品質保証、材料科学向けの
放射線検出器を開発・製造しているメーカーで、
シリコンドリフト検出器(SDD)と電荷結合素子(pnCDD)に重点を置いています。

PNDetectorのSDDは、優れたエネルギー分解能と処理時間の短さなど、
最先端の技術を有しており、走査電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、
蛍光X線装置(XRFおよびTXRF)など、さまざまな機器で使用されています。

SDDおよびBSD製品には、シリコン検出器各種とBSE(後方散乱電子検出器)、
そして pnCCD製品には、高解像度X線イメージング分光法(カラーX線カメラ)、
高速直接電子イメージング(pnCCD(S)TEM) カメラがあります。

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SDD and BSD 製品

・クラシックシリコンドリフト検出器
・高解像度シリコンドリフト検出器
・多元素シリコン検出器
・超大型検出器シリーズ
・BSE(後方散乱電子検出器) 等

pnCDD 製品(イメージセンサー)

・カラーX線カメラ
・pnCCD(S)TEM ((Scanning)Transmission Electron Microscopy) カメラ


【取り扱い製品の一例】

Annular Backscattered Electron Detector Preamplifier Module
Type:AMP-BSD-40-4-1-10-OPW (BSD, 後方散乱電子検出器)

主な特徴:

- 信号強度の向上
- テレビ回線の速度よりも速い超高速イメージングが可能(最大100 MHz)
- 低ノイズイメージングの提供
- 作動距離が短い(短い距離でのイメージングが可能)
- さまざまなタイプのダイオードを利用可
- 信号立ち上がり時間 10nsec、パルス立ち上げ時間 5nsec の高速LED信号

仕様:

Total active area: 40mm2
Number of segments / rings: 4 / 1
Central hole diameter: 1.0 mm
Outer diamater: 9mm
Energy threshold (50% efficiency): 2 keV
Max. geom. col-lection efficiency: 50%
Signal cap. per cell @ full depl.: 3 pF

上記掲載以外のPNDetector 社製品についても、お気軽にお問い合わせください。



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